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 Analysis on two breakdown failure mechanisms of silicon carbide MOSFET devices with abnormally increased leakage current at low voltage 相关领域
材料科学
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期刊：Diamond and Related Materials 作者：Lingling Lai; Yingxin Cui; Zicheng Lu; Fanpeng Zeng; Jisheng Han 出版日期：2025-12-23 |
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(2025-6-4)
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