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Gas-source molecular-beam epitaxy using Si2H6 and GeH4 and x-ray characterization of Si1−xGex (0≤x≤0.33) alloys |
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:S. H. Li; S. W. Chung; J. K. Rhee; P. K. Bhattacharya 出版日期:2002-07-26 |
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(2025-6-4)