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Evidence of Transport Degradation in 22 nm FD-SOI Charge Trapping Transistors for Neural Network Applications 用于神经网络应用的22 nm FD-SOI电荷俘获晶体管输运退化的证据
相关领域
俘获
材料科学
晶体管
降级(电信)
绝缘体上的硅
光电子学
阈下传导
存水弯(水管)
阈值电压
电荷(物理)
电压
CMOS芯片
电气工程
硅
物理
工程类
量子力学
生态学
气象学
生物
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期刊:Solid-state Electronics 作者:Fahad Al Mamun; Sarma Vrudhula; Dragica Vasileska; Hugh J. Barnaby; Ivan Sanchez Esqueda 出版日期:2023-09-17 |
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