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 Performance of Broken Gap MoO3/ZnS Heterojunctions as Abrupt Electronic Switches, MOSFETs, Negative Capacitance FETs and Bandpass Filters Suitable for 3G/4G Technologies 断隙MoO3/ZnS异质结作为适用于3G/4G技术的突变电子开关、MOSFET、负电容FET和带通滤波器的性能
相关领域
材料科学
光电子学
异质结
带隙
欧姆接触
肖特基二极管
二极管
纳米技术
图层（电子）
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期刊：Journal of Electronic Materials 作者：A. F. Qasrawi; Nancy M. A. Yaseen 出版日期：2022-01-09 |
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