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HVPE growth of Si-doped β -Ga2O3 on sapphire: Influence of substrate offcut on structural and electrical properties 相关领域
材料科学
蓝宝石
外延
光电子学
电子迁移率
表面粗糙度
基质(水族馆)
化学工程
动力学
分析化学(期刊)
接受者
增长率
晶体生长
沉积(地质)
薄膜
表面光洁度
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| 其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Sourav Sarker; Saleh Ahmed Khan; Ahmed Ibreljic; Anhar Bhuiyan 出版日期:2026-09-28 |
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