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ICP etching of GaN microstructures in a Cl2–Ar plasma with subnanometer-scale sidewall surface roughness |
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期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 作者:Clint D. Frye; Catherine E. Reinhardt; Scott B. Donald; Lars F. Voss; Sara E. Harrison 出版日期:2022-02-18 |
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(2025-6-4)