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标题
Improvement of SiO2 surface morphology during the selective Si3N4 etching in the multi-layered 3D NAND Si3N4/SiO2 stack structures by the generation of CO2 gas through the control of redox reaction
通过控制氧化还原反应产生CO2气体改善多层3D NAND Si3N4/SiO2堆叠结构中选择性Si3N4蚀刻过程中SiO2表面形貌
相关领域
堆栈（抽象数据类型） 材料科学 蚀刻（微加工） 氧化物 氮化物 氮化硅 图层（电子） 磷酸 二氧化硅 硅 光电子学 纳米技术 化学工程 复合材料 冶金 工程类 程序设计语言 计算机科学
网址
https://doi.org/10.1016/j.surfin.2022.102484
DOI
10.1016/j.surfin.2022.102484 doi
其它 期刊：Surfaces and Interfaces
作者：Taehyeon Kim; Taegun Park; Changjin Son; Sangwoo Lim
出版日期：2022-11-14
求助人
淡然的念珍 在 2025-12-22 22:25:59 发布自湖北，悬赏 10 积分
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