| 标题 |
 Improvement of SiO2 surface morphology during the selective Si3N4 etching in the multi-layered 3D NAND Si3N4/SiO2 stack structures by the generation of CO2 gas through the control of redox reaction 通过控制氧化还原反应产生CO2气体改善多层3D NAND Si3N4/SiO2堆叠结构中选择性Si3N4蚀刻过程中SiO2表面形貌
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期刊：Surfaces and Interfaces 作者：Taehyeon Kim; Taegun Park; Changjin Son; Sangwoo Lim 出版日期：2022-11-14 |
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