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High resolution deep level transient spectroscopy applied to extended defects in silicon 相关领域
深能级瞬态光谱
硅
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期刊:Journal of Physics Condensed Matter 作者:J.H. Evans–Freeman; D. Emiroglu; K.D. Vernon–Parry; John D. Murphy; Peter R. Wilshaw 出版日期:2005-05-20 |
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(2025-6-4)