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标题
A novel methodology to characterize LGA packaged GaN power transistors using a mother/daughter board configuration for the reliability qualification in the mild hybrid applications
一种利用母/子板配置表征LGA封装GaN功率晶体管的新方法，用于轻度混合应用中的可靠性鉴定
相关领域
晶体管 氮化镓 泄漏（经济） 印刷电路板 电气工程 功率半导体器件 电子工程 可靠性（半导体） 电压 材料科学 工程类 功率（物理） 光电子学 图层（电子） 经济 复合材料 宏观经济学 物理 量子力学
网址
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114777
AI链接 normandie-univ.hal.science archives-ouvertes.fr archives-ouvertes.frdoi.org
DOI
10.1016/j.microrel.2022.114777 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：Chawki Douzi; Moncef Kadi; Pascal Dherbécourt; Mohamed Akram Besserour; Eric Joubert; et al
出版日期：2022-09-24
求助人
sugar 在 2025-12-06 12:11:41 发布自贵州，悬赏 10 积分
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