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 Performance Assessment of a New Radiation Microsensor Based 4H-SiC trench MOSFET: A Simulation Study 基于4H-SiC沟槽MOSFET的新型辐射微传感器性能评估：仿真研究
相关领域
材料科学
剂量计
MOSFET
光电子学
阈值电压
吸收剂量
晶体管
辐射
沟槽
场效应晶体管
电压
光学
电气工程
纳米技术
物理
工程类
图层（电子）
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期刊：Silicon 作者：Jaya Madan; Khalil Tamersit; Kulbhushan Sharma; Anjan Kumar; Rahul Pandey 出版日期：2022-09-05 |
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