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标题
GaN-on-GaN p-i-n diodes with avalanche capability enabled by eliminating surface leakage with hydrogen plasma treatment
通过氢等离子体处理消除表面泄漏实现具有雪崩能力的GaN-on-GaN p-i-n二极管
相关领域
材料科学 击穿电压 光电子学 雪崩击穿 雪崩二极管 电场 二极管 宽禁带半导体 等离子体 兴奋剂 泄漏（经济） 氮化镓 电压 图层（电子） 电气工程 纳米技术 经济 宏观经济学 工程类 物理 量子力学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0107677
AI链接 osti.govdoi.org
DOI
10.1063/5.0107677 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Kai Fu; Ziyi He; CHEN Yang; Jingan Zhou; Houqiang Fu; et al
出版日期：2022-08-29
求助人
sen 在 2025-12-05 12:52:33 发布自海南，悬赏 10 积分
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