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 Enhanced mobility of ternary InGaAs quantum wells through digital alloying 数字合金化提高三元InGaAs量子阱迁移率
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期刊：Physical Review Materials 作者：Jason T. Dong; Y Gul; Aaron N. Engel; Teun A. J. van Schijndel; Connor P. Dempsey; et al 出版日期：2024-06-26 |
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