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  Mechanism of Threshold Voltage Instability in Double Gate α-IGZO Nanosheet TFT Under Bias and Temperature Stress 偏压和温度应力下双栅α-IGZO纳米片TFT阈值电压失稳机制
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期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Muhammad Aslam; Shu-Wei Chang; Yi-Ho Chen; Yao‐Jen Lee; Yiming Li; et al 出版日期：2024-01-01 |
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