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 Induced transition from Schottky to ohmic contact in In/n-type Si owing to (NH4)2Sx treatment （NH4）2Sx处理诱导In/n型Si从肖特基接触到欧姆接触的转变
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期刊：Indian Journal of Physics 作者：Xiu-Yu Lin; Hsing-Cheng Chang; Bolin Huang; Yow-Jon Lin 出版日期：2022-01-17 |
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羊1234
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2025-08-29 14:38:19 发布，悬赏 10 积分
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