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 Correct Extrapolation Model for TDDB of STT-MRAM MgO Magnetic Tunnel Junctions 相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
磁阻随机存取存储器
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期刊：2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 作者：J. H. Lim; Nagarajan Raghavan; V. B. Naik; J. Kwon; K. Yamane; et al 出版日期：2019-03-01 |
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