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标题
Effects of Surface Size and Shape of Evaporation Area on SiC Single-Crystal Growth Using the PVT Method
表面尺寸和蒸发区形状对PVT法生长SiC单晶的影响
相关领域
微晶 材料科学 蒸发 碳化硅 石墨 晶体生长 单晶 Crystal(编程语言) 晶种 结晶学 复合材料 冶金 化学 热力学 物理 计算机科学 程序设计语言
网址
DOI
10.3390/cryst14020118 doi
其它 期刊:Crystals
作者:Yanwen Zhang; Xin Wen; Nuofu Chen; Fang Zhang; Jikun Chen; et al
出版日期:2024-01-25
求助人
任风 在 2025-08-16 11:54:22 发布自山东,悬赏 10 积分
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