| 标题 |
[高分]
Effect of Plasma Treatment on TiO 2 /TiO 2-x Resistance Random Access Memory 相关领域
材料科学
等离子体
随机存取存储器
光电子学
纳米技术
计算机科学
计算机硬件
物理
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 作者:Han-Sang Kim; Sung‐Jin Kim 出版日期:2020-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|