| 标题 |
 Post-growth rapid thermal annealing (RTA): a technological route to achieve high efficient luminescence and reduction of size inhomogeneity in type-II InAs/GaAs(Sb) quantum dots (QDs) Heterostructures for opto-electronic applications 生长后快速热退火（RTA）：光电应用II型InAs/GaAs（Sb）量子点（QDs）异质结构高效发光和减小尺寸不均匀性的技术路线
相关领域
量子点
异质结
退火（玻璃）
光电子学
材料科学
发光
纳米技术
冶金
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| 其它 |
期刊： 作者：Rajib Saha; Sharanya Chakrabarti; Soumya Mahapatra; Neelu Sharma; Subhananda Chakrabarti 出版日期：2024-08-16 |
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