Crystal growth principles, methods, properties of silicon carbide and its new process prepared from silicon cutting waste

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标题	Crystal growth principles, methods, properties of silicon carbide and its new process prepared from silicon cutting waste
网址	https://doi.org/10.1016/j.jmrt.2024.12.239
DOI	10.1016/j.jmrt.2024.12.239 doi
其它	期刊：Journal of materials research and technology 作者：Siheng Zhang; Yongsheng Ren; Xiao‐Juan Yang; Wenhui Ma; Hui Chen; et al 出版日期：2024-12-27
求助人	爱吃香菜在 2026-07-10 17:52:09 发布自安徽，悬赏 10 积分
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