Simulation Analysis of the Chemical Mechanical Polishing Process for Monocrystal 4H-Silicon Carbide Based on Molecular Dynamics

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标题	Simulation Analysis of the Chemical Mechanical Polishing Process for Monocrystal 4H-Silicon Carbide Based on Molecular Dynamics
网址	https://doi.org/10.3390/mi16121350
DOI	10.3390/mi16121350 doi
其它	期刊：Micromachines (Basel) 作者：Lei Y, Guo W, Feng K, Sun Z 出版日期：2025-11-28
求助人	Atlantis 在 2026-07-24 15:46:31 发布自上海，悬赏 10 积分
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