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 Physical Thickness 1.5-nm HfZrO Negative Capacitance NMOSFETs 物理厚度1.5nm HfZrO负电容NMOSFET
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Qiuxia Xu; Kai Chen; Gaobo Xu; Jinjuan Xiang; Jianfeng Gao; et al 出版日期：2021-07-01 |
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