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 Breaking the Trade-off between On-Resistance and Short-Circuit Withstand Time in 1.2 kV - 500 A SiC MOSFETs Using a Narrow Fin Channel |
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| 其它 |
期刊：2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：H. Fujioka; T. Kumazawa; H. Tomita; M. Okuda; H. Fujiwara; et al 出版日期：2025 |
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(2025-6-4)
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