Microscopic origin of dopant-dependent defect states and carrier compensation in Si- and Sn-doped β -Ga2O3

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标题	Microscopic origin of dopant-dependent defect states and carrier compensation in Si- and Sn-doped β -Ga2O3
网址	https://doi.org/10.1063/5.0332528
DOI	10.1063/5.0332528 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Ziqian Sheng; Taiqiao Liu; Yiru Zhao; Ning Jia; Duanyang Chen; et al 出版日期：2026
求助人	zjq 在 2026-05-11 19:18:00 发布自湖北，悬赏 10 积分
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