Study of dislocation density in Te-doped GaSb single crystals grown by means of Czochralski technique

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标题	Study of dislocation density in Te-doped GaSb single crystals grown by means of Czochralski technique 提拉法生长Te掺杂GaSb单晶中位错密度的研究相关领域位错材料科学直拉法锑化镓兴奋剂结晶学 Crystal（编程语言）单晶碲晶体生长凝聚态物理光电子学复合材料化学冶金超晶格计算机科学物理程序设计语言
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/004060...
DOI	10.1016/0040-6031(92)80205-B doi
求助人	漫漫在 2024-05-20 17:02:04 发布自北京，悬赏 10 积分
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