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标题
Highly selective and vertical etch of silicon dioxide using ruthenium films as an etch mask
网址
DOI
10.1116/6.0001030 doi
其它 期刊:Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films
作者:William J. Mitchell; Brian J. Thibeault; Demis D. John; Thomas E. Reynolds
出版日期:2021-05-27
求助人
陶醉的筮 在 2026-01-27 23:11:28 发布自陕西,悬赏 10 积分
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