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标题
Design and analysis of dopingless 1T DRAM using work function engineered tunnel field effect transistors
基于功函数工程隧道场效应晶体管的无掺杂1T DRAM设计与分析
相关领域
德拉姆 隧道场效应晶体管 晶体管 工作职能 电气工程 材料科学 光电子学 动态随机存取存储器 双极扩散 电极 电子工程 工程类 场效应晶体管 电压 纳米技术 化学 物理 等离子体 物理化学 量子力学 图层（电子） 半导体存储器
网址
https://doi.org/10.1016/j.mejo.2022.105433
DOI
10.1016/j.mejo.2022.105433 doi
其它 期刊：Microelectronics Journal
作者：A. Arun; P. S. Sreelekshmi; Jobymol Jacob
出版日期：2022-04-14
求助人
淡定紫槐 在 2025-12-09 16:12:20 发布自广西，悬赏 10 积分
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