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标题
Analysis and modeling of the influence of gate leakage current on threshold voltage and subthreshold swing in p-GaN gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors
p-GaN栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中栅极漏电流对阈值电压和亚阈值摆幅影响的分析与建模
相关领域
光电子学 阈下摆动 材料科学 阈下传导 晶体管 摇摆 阈值电压 泄漏（经济） 宽禁带半导体 栅极电压 电子迁移率 电压 电子 电气工程 物理 工程类 声学 宏观经济学 经济 量子力学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0200487
DOI
10.1063/5.0200487 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Kai Liu; Chong Wang; Kuo Zhang; Xiaohua Ma; Junchun Bai; et al
出版日期：2024-04-08
求助人
朴素便当 在 2025-12-04 04:04:28 发布自宁夏，悬赏 10 积分
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