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 A Universal SPICE Field-Effect Transistor Model Applied on SiC and GaN Transistors 应用于SiC和GaN晶体管的通用SPICE场效应晶体管模型
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期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Achim Endruschat; Christian Novak; Holger Gerstner; Thomas Heckel; Christopher Joffe; et al 出版日期：2019-09-01 |
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