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 TEOS-based low-pressure chemical vapor deposition for gate oxides in 4H–SiC MOSFETs using nitric oxide post-deposition annealing 基于TEOS的4H-SiC MOSFET栅极氧化物低压化学气相沉积一氧化氮后退火
相关领域
材料科学
化学气相沉积
退火（玻璃）
氧化物
光电子学
化学工程
栅氧化层
分析化学（期刊）
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