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标题
Life-time degradation of STT-MRAM by self-heating effect with TDDB model
基于TDDB模型的STT-MRAM自热效应的寿命退化
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿 磁阻随机存取存储器 降级（电信） 材料科学 介电强度 旋转扭矩传递 电介质 电子工程 光电子学 计算机科学 电气工程 随机存取存储器 工程类 磁场 电压 磁化 晶体管 栅极电介质 物理 量子力学 计算机硬件
网址
https://doi.org/10.1016/j.sse.2020.107878
DOI
10.1016/j.sse.2020.107878 doi
其它 期刊：Solid-State Electronics
作者：Xue Zhang; Guangjun Zhang; Lijie Shen; Pingping Yu; Yanfeng Jiang
出版日期：2020-08-08
求助人
yfgj010 在 2025-07-03 09:49:42 发布自北京，悬赏 10 积分
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