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Rotational domains in heteroepitaxial β-Ga 2 O 3 films grown by MOCVD |
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期刊:2026 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications (VLSI TSA) 作者:Filip Gucmann; Hemendra Chouhan; Edmund Dobročka; Kristína Hušeková; Dagmar Gregušová; et al 出版日期:2026-05-27 |
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