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A Simple Desaturation-Based Protection Circuit for GaN HEMT With Ultrafast Response 相关领域
高电子迁移率晶体管
氮化镓
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期刊:IEEE Transactions on Power Electronics 作者:Ruoyu Hou; Juncheng Lu; Zhongyi Quan; Yunwei Li 出版日期:2020-11-25 |
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