Fixed interface charges between AlGaN barrier and gate stack composed of in situ grown SiN and Al2O3 in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with normally off capability

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标题	Fixed interface charges between AlGaN barrier and gate stack composed of in situ grown SiN and Al2O3 in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with normally off capability
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/1.48685...
DOI	10.1063/1.4868531 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：M. Capriotti; A. Alexewicz; C. Fleury; M. Gavagnin; O. Bethge; et al 出版日期：2014-03-18
求助人	辛勤如柏在 2026-06-18 16:48:58 发布自广东，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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