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  Impact of AlGaN Barrier Thickness and Substrate Material on the Noise Characteristics of GaN HEMT 相关领域
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期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Anwar Jarndal; L. Arivazhagan; Eqab Almajali; Sohaib Majzoub; Talal Bonny; et al 出版日期：2022-01-01 |
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