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标题
A well-conditioned surface potential equation for dynamically depleted SOI MOS devices accounting for the front-depletion/back-accumulation operation mode
考虑前耗尽/后积累工作模式的动态耗尽SOI MOS器件的良好表面势方程
相关领域
前线(军事) 绝缘体上的硅 模式(计算机接口) 曲面(拓扑) 材料科学 物理 机械 光电子学 计算机科学 数学 几何学 硅 气象学 操作系统
网址
DOI
10.1016/j.sse.2024.109010 doi
其它 期刊:Solid-State Electronics
作者:Thomas Bédécarrats; Sébastien Martinie; Adrien Vaysset; O. Rozeau
出版日期:2024-10-10
求助人
polyethylene 在 2025-08-29 08:31:20 发布自上海,悬赏 10 积分
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求助 / 应助时间线
  • 1年前,求助关闭

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  • 1年前

    polyethylene polyethylene Lv5 求助人 发起了本次求助

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