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 Room-temperature bonded silicon on insulator wafers with a dense buried oxide layer formed by annealing a deposited silicon oxidation layer and surface-activated bonding 绝缘体晶片上的室温键合硅，其具有通过退火沉积的硅氧化层和表面活化键合而形成的致密掩埋氧化物层
相关领域
绝缘体上的硅
材料科学
薄脆饼
退火（玻璃）
制作
晶片键合
硅
微电子机械系统
热氧化
图层（电子）
光电子学
氧化物
化学气相沉积
阳极连接
复合材料
纳米技术
冶金
医学
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病理
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Yoshihiro Koga; Kazunari Kurita 出版日期：2021-02-04 |
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