Room-temperature bonded silicon on insulator wafers with a dense buried oxide layer formed by annealing a deposited silicon oxidation layer and surface-activated bonding

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标题	Room-temperature bonded silicon on insulator wafers with a dense buried oxide layer formed by annealing a deposited silicon oxidation layer and surface-activated bonding 绝缘体晶片上的室温键合硅，其具有通过退火沉积的硅氧化层和表面活化键合而形成的致密掩埋氧化物层相关领域绝缘体上的硅材料科学薄脆饼退火（玻璃）制作晶片键合硅微电子机械系统热氧化图层（电子）光电子学氧化物化学气相沉积阳极连接复合材料纳米技术冶金医学替代医学病理
网址	https://doi.org/10.35848/1347-4065/abe2b9
DOI	10.35848/1347-4065/abe2b9 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Yoshihiro Koga; Kazunari Kurita 出版日期：2021-02-04
求助人	健忘叫兽在 2025-08-29 21:13:00 发布自江苏，悬赏 10 积分
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