Layout Concern on Power Devices Based on 0.18μm 200V SOI-BCD Technology for Stable Electrical Characteristics and Reliability

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标题	Layout Concern on Power Devices Based on 0.18μm 200V SOI-BCD Technology for Stable Electrical Characteristics and Reliability 相关领域可靠性（半导体）绝缘体上的硅可靠性工程功率（物理）计算机科学电气工程工程类材料科学硅光电子学物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1109/ispsd59661.2024.10579596
DOI	10.1109/ispsd59661.2024.10579596 doi
其它	期刊：作者：Ran Ye; Jiaojing Bian; Shulang Ma; Siyang Liu; Lu Li; et al 出版日期：2024-06-02
求助人	haha 在 2025-09-26 11:57:38 发布自浙江，悬赏 10 积分
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