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Layout Concern on Power Devices Based on 0.18μm 200V SOI-BCD Technology for Stable Electrical Characteristics and Reliability 相关领域
可靠性(半导体)
绝缘体上的硅
可靠性工程
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硅
光电子学
物理
量子力学
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期刊: 作者:Ran Ye; Jiaojing Bian; Shulang Ma; Siyang Liu; Lu Li; et al 出版日期:2024-06-02 |
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