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标题
A Monolithically Integrated GaN-Based Light Emitting Transistor with a High On/Off Ratio and Low Gate Leakage Current
具有高通/断比和低栅极漏电流的单片集成GaN基发光晶体管
相关领域
光电子学 材料科学 泄漏（经济） 晶体管 电流（流体） 电气工程 工程类 电压 经济 宏观经济学
网址
https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c01239
DOI
10.1021/acsaelm.4c01239 doi
其它 期刊：ACS Applied Electronic Materials
作者：Jae Hun Kim; Ilgu Yun
出版日期：2024-11-01
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棒棒 在 2025-08-17 13:24:10 发布，悬赏 10 积分
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