Unexpected Realization of N-Polar AlN Films on Si-Face 4H–SiC Substrates Using RF Sputtering and High-Temperature Annealing

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标题	Unexpected Realization of N-Polar AlN Films on Si-Face 4H–SiC Substrates Using RF Sputtering and High-Temperature Annealing 用射频溅射和高温退火在Si-Face 4H-SiC衬底上意外实现N极性AlN薄膜相关领域材料科学溅射退火（玻璃）极地的溅射沉积光电子学分析化学（期刊）薄膜纳米技术化学复合材料物理天文色谱法
网址	https://doi.org/10.1021/acs.cgd.2c01275
DOI	10.1021/acs.cgd.2c01275 doi
其它	期刊：Crystal Growth & Design 作者：Ruijie Zhang; Yanan Guo; Tingsong Cai; Zhibin Liu; Naixin Liu; et al 出版日期：2023-03-22
求助人	iu0520 在 2023-09-27 01:57:25 发布自四川，悬赏 10 积分
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