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[高分]
  On the Deposition Kinetics of the LPCVD Gate Oxides Prepared from SiH4 and O2 SiH4和O2制备LPCVD栅氧化物的沉积动力学
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期刊：Journal de Physique IV (Proceedings) 作者：J. Rem; J.H. Klootwijk; C. Cobianu; J. Holleman; J.F. Verweij 出版日期：1995-06-01 |
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