On the Deposition Kinetics of the LPCVD Gate Oxides Prepared from SiH4 and O2

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作者
J. Rem,J.H. Klootwijk,C. Cobianu,J. Holleman,J.F. Verweij
出处
期刊:Journal de physique [EDP Sciences]
卷期号:05 (C5): C5-118 被引量:1
标识
DOI:10.1051/jphyscol:1995511
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