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 Formation of Mobile Hydridic Defects in Zirconium Nitride Films with n-Type Semiconductor Properties 具有n型半导体特性的氮化锆薄膜中可移动氢化物缺陷的形成
相关领域
化学
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期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Miku Saito; Chiharu Kura; Hajime Toriumi; Satoshi Hinokuma; Toshiaki Ina; et al 出版日期：2021-08-30 |
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