| 标题 |
 Fabrication and properties of the Y-doped Al2O3 high-k gate dielectric films 相关领域
材料科学
电介质
无定形固体
扫描电子显微镜
薄膜
兴奋剂
高-κ电介质
分析化学（期刊）
离子键合
制作
溅射
离子
光电子学
纳米技术
结晶学
复合材料
化学
医学
替代医学
有机化学
色谱法
病理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Acta Physica Sinica 作者：Guo De-Feng; G. Weigang; Wei Lan; Huang Chun-Ming; Yinyue Wang 出版日期：2005-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
eric888
GingerF
不瞌睡
风清扬
萝卜
clazer
彩虹儿
wop111
leaolf
if
不配.
Criminology34
Levieus
Maestro_S
GPTea
MchemG
xl
遇上就这样吧
传奇3
Arturo
CES_SH
Yan
pcr163
小二郎
和平使命
elvakam
jyy
皖公网安备34019202002308
