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 Reduction of the Gate Leakage Current in Binary-trench-insulatedGate AlGaN/GaN High-electron-mobility Transistors 相关领域
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期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：SuJin Kim; Dong-Ho Kim; JaeMoo Kim; KangMin Jung; Tae-Geun Kim; et al 出版日期：2009-07-13 |
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