| 标题 |
[高分]
  Dislocation Morphology and Crystalline Mosaicity in Strain-Relaxed SiGe Buffer Layers on SOI 相关领域
镶嵌
绝缘体上的硅
材料科学
位错
透射电子显微镜
图层（电子）
光电子学
缓冲器（光纤）
形态学（生物学）
硅
结晶学
复合材料
外延
纳米技术
化学
电气工程
工程类
生物
遗传学
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| 其它 |
期刊：IEEJ Transactions on Electronics Information and Systems 作者：Akira Sakai; Noriyuki Taoka; Osamu Nakatsuka; Masaki Ogawa; Shigeaki Zaima 出版日期：2006-01-01 |
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