| 标题 |
[高分]
 An Wideband GaN Low Noise Amplifier in a 3×3 mm2Quad Flat Non-leaded Package 采用3 × 3 mm2Quad扁平无引线封装的宽带GaN低噪声放大器
相关领域
宽带
四平无引线包
噪声系数
单片微波集成电路
电感器
电气工程
材料科学
光电子学
放大器
CMOS芯片
低噪声放大器
回波损耗
带宽（计算）
电压
工程类
电信
胶粘剂
图层（电子）
天线（收音机）
复合材料
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| 其它 |
期刊：JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science 作者：Hyunwoo Park; Sun-Jun Ham; Ngoc‐Duy‐Hien Lai; Nam-Yoon Kim; Chang-Woo Kim; et al 出版日期：2015-04-30 |
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