| 标题 |
 Study and reduction of the surface pits in 4H-SiC epitaxial wafer 4H-SiC外延晶片表面凹坑的研究与减少
相关领域
薄脆饼
外延
材料科学
光电子学
硅
碳化硅
复合材料
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Weili Lu; Yulong Fang; Jia Li; Jiayun Yin; Bo Wang; et al 出版日期：2023-03-04 |
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