| 标题 |
 High-performance Ku-band thin-barrier AlGaN/GaN MIS-HEMTs on Si using high-stress LPCVD-SiN passivation for low-voltage applications 相关领域
材料科学
钝化
光电子学
化学气相沉积
晶体管
原子层沉积
饱和电流
饱和（图论）
电介质
宽禁带半导体
基质（水族馆）
阈值电压
泄漏（经济）
沉积（地质）
电压
电流密度
栅极电介质
电子迁移率
场效应晶体管
图层（电子）
功率半导体器件
大气温度范围
击穿电压
硅
MOSFET
氮化镓
电流（流体）
高-κ电介质
分析化学（期刊）
随时间变化的栅氧化层击穿
阻挡层
介电强度
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Jiejie Zhu; Mingdong Li; Qing Zhu; Wanshuo Liao; Sheng Zhang; et al 出版日期：2026-01-26 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
无极微光
OK
xing_xing
Nole
Kao
yz
牧青
aaaa
小高
东方元语
修仙中
wwww
渡人舟
arniu2008
馨馨的科科
Dean
学术文献互助
GingerF
失眠的耳机
皖公网安备34019202002308
