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 Lateral polarity controlled quasi-vertical GaN Schottky barrier diode with sidewalls absence of plasma damages 侧壁无等离子体损伤的横向极性可控准垂直GaN肖特基势垒二极管
相关领域
肖特基二极管
材料科学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Ying Dai; Zihui Zhao; Tian Luo; Zhehan Yu; Wei Guo; et al 出版日期：2023-12-18 |
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