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 Germanium surface segregation in highly doped Ge:β-Ga2O3 grown by molecular beam epitaxy observed by synchrotron radiation hard x-ray photoelectron spectroscopy 用同步辐射硬x射线光电子能谱观察分子束外延生长的高掺杂Ge：β-Ga2O3中锗的表面偏析
相关领域
锗
分子束外延
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Anthony Boucly; Tyson C. Back; Thaddeus J. Asel; Brenton A. Noesges; Prescott E. Evans; et al 出版日期：2024-11-04 |
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